An analysis of the Active Layer Optimization of High Power Pulsed IMPATT Diodes

ROQUE DE LA CRUZ JIMÉNEZ, ALEXANDER ZEMLIAK

Resumen


EN LA BASE DEL MODELO NUMÉRICO QUE INCLUYE MODELOS PRECISOS ELÉCTRICOS Y TÉRMICOS, LAS CARACTERÍSTICAS EXTRÉMALES DE POTENCIA HAN SIDO INVESTIGADAS PARA EL DIODO IMPATT DE MODO PULSADO DE LA REGIÓN DE 94 Y 140 GHZ. LOS DIODOS CON PERFIL TRADICIONAL Y PERFIL COMPLEJO FUERON OPTIMIZADOS POR UNA ESTRUCTURA INTERNA.- LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPLEJA HA SIDO ANALIZADA PARA MEJORAR LAS CARACTERÍSTICAS DE POTENCIA Y EFICIENCIA DEL DIODO IMPATT. LAS DEPENDENCIAS DE POTENCIA, EFICIENCIA Y ADMITANCIA HAN SIDO INVESTIGADAS COMO FUNCIONES DE LA CORRIENTE DE ALIMENTACIÓN. LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPLEJA PUEDE SER RECOMENDABLE PARA AUMENTAR EL TIEMPO REAL DE TRABAJO DEL DIODO POTENTE DE MODO PULSADO.

Palabras clave


DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE MICROONDAS; SIMULACION Y MODELADO; METODOS NEMERICOS; OPTIMIZACION DE LA ESTRUCTURA

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Oscar Zavala