Extracción de parámetros eléctricos de inversores CMOS de compuerta flotante

J E Molinar Solís, V H Ponce Ponce, R Z García Lozano, A Díaz Sanchez, j M Rocha Pérez

Resumen


En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia g de la compuerta flotante en inversores CMOS, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor g y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. Estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas detecnología AMIABN de 1.2mm, a través de la organización MOSIS. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en PSpice para obtener simulaciones más precisas.


Palabras clave


inversor de compuerta flotante; NeuMOS; compuerta flotante

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