Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V

Bárbara González-Rolón, Fernando Ireta-Moreno

Resumen


El proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 V a 34 000 V de ZnO consistió en dopar con Sb2O3, Bi2O3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de Sb2O3/Bi2O3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150ºC ± 2ºC. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica I-V. Las características eléctricas son discutidas.

Palabras clave


varistor, ZnO, microstructura, dopante, propiedades eléctricas, tamaño de grano

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