A 540μT-1 silicon-based MAGFET

Federico Sandoval Ibarra, M. A. Dávalos Santana, E. Montoya Suárez

Resumen


En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campo magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 μm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540μT-1.


Palabras clave


Dispositivos semiconductores; dispositivos de efecto de campo; microelectrónica

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