MBE-growth and characterization of InxGa1xAs/GaAs (x=0.15) superlattice

S. Altindal, H. Altunas, T. S. Mammedov, S. Özçelik, M. K. Öztürk, B. Sarikavak

Resumen


Un cualificado In0.15Ga0.85As/GaAs superenrejado ha sido desarrollado en un substrato de tipo n mediante una epitaxia de viga molecular (MBE). El análisis de esta estructura fue llevado a cabo, en primer lugar por una difracción de rayos X (XRD) y en esta estructura el grosor, la aspereza y la concentración x fueron determinadas del interfaz fueron determinados en una nano-escala. En segundo lugar, las características eléctricas de este ejemplo, tales como la actual temperatura del voltaje (I-V-T), la temperatura del voltaje capacitado (G-V-T) y la temperatura de la conductividad del voltaje (G-V-T) estudiados dentro de un amplio rango de temperaturas. La distribución energética de los estados del interfaz fue determinada de las características I-V del sesgo avanzado, teniendo en cuenta la dependencia diagonal de la altura eficaz de la barrera. Los resultados experimentales muestran como las características avanzadas e inversas I-V son similares al comportamiento de la juntura de Schottky. El factor ideal n, las resistencias en serie Rs, la altura de la barrera y la densidad de los estados del interfaz Nss resultaron ser funciones importantes de la temperatura. Según la teoría de la emisión termoiónica (TE), la altura de la barrera del sesgo cero, calculada de las características del sesgo avanzado I-V resultaron aumentar con un aumento de la temperatura. Al mismo tiempo, el valor de R y la juntura del voltaje y la temperatura se obtuvieron de las características C-V y G-V. La temperatura dependiente de las características I-V, C-V y G-V confirmaron que la distribución de las R y N son parámetros importantes que influyen en las características eléctricas de estos mecanismos.


Palabras clave


MBE; difracción de rayos x; serie de la resistencia; interfaz fueron; temperatura dependiente

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