Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2

Ch. Power, I. Molina, L. Chacón, J. González

Resumen


En el presente estudio hemos medido el espectro de transmisión óptica normal no polarizado en el compuesto semiconductor laminar TlGaSe2, hasta la presión de 27.6 GPa. Nuestros resultados muestran que en el rango del visible existe la contribución de dos brechas de energía directas, que presentan una dependencia lineal con la presión. La transición débil EAv2 → Γc3,1), asignada a la brecha fundamental de energía, decrece hasta los 0.9 GPa con un coeficient lineal de -5.31 x 10-2 eVGPa-1 y la transición EB( Γv2 → Γ c3,2) muestra un coeficient de -9.95 x 10-2 eVGPa-1 hasta 5.3 GPa (límite de presión en el espectro visible). Los resultados en el infrarrojo no muestran la presencia de la transición EA, dejando ver solamente el comportamiento de la segunda transición justo hasta la presión de metalización 24.6 GPa. En el rango de presión estudiado de 0.0 a 27.6 GPa, la transición EB muestra un comportamiento no lineal con la presión de coeficient cuadrático 1.83 x 10-3 eVGPa-2.

 


Palabras clave


Semiconductores I-III-VI2; propiedades ópticas; infrarrojo; alta presiones

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